在第69届IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）震撼亮相，发布了一篇引人注目的论文，着重展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，该技术被宣称适用于尖端的3nm芯片。
技术细节：GAA引领3nm芯片时代
论文中详细介绍了GAA技术在3nm以下芯片中的广泛应用，涵盖了5nm、7nm、10nm和14nm等领域。然而，值得注意的是，尽管论文强调了该技术的广泛适用性，但并不意味着长鑫存储目前已具备制造3nm芯片的能力。
行业关注：自主芯片开发能力备受瞩目
长鑫存储虽然尚未发布相关样品，但此次论文的亮相引起了行业分析师的广泛关注。这表明，在面对美国封锁的压力下，长鑫不断加强自主芯片开发能力，为其下一代内存铺平道路。
华邦电子的储存芯片专家Frederick Chen对长鑫存储的进展表示印象深刻，认为这体现了公司不断追赶，缩小技术差距的决心。
公司回应：基础研究与生产工艺无关
长鑫存储在发表的声明中指出，该论文主要描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究，与公司当前的生产工艺无关。声明中明确表示，这一设计纸张目前还未成为一种适销对路的产品。
突破性成果：LPDDR5系列产品引领市场
尽管论文侧重于未来技术的研究，但长鑫存储的实际产品依然备受瞩目。根据官方网站显示，长鑫存储已成功推出最新的LPDDR5 DRAM存储芯片，成为国内首家自主研发生产LPDDR5产品的品牌。这一突破不仅在国内市场取得零的突破，也为长鑫在移动终端市场的产品布局带来更多多元化的可能性。
LPDDR5系列产品亮点
包括12GB的LPDDR5颗粒
POP封装的12GB LPDDR5芯片
DSC封装的6GB LPDDR5芯片
12GB LPDDR5芯片已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证
这一系列产品的市场化落地，将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局，为科技发展注入新的活力。随着技术不断进步，长鑫存储在自主芯片领域的探索令人期待。
